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氮氣濃度多少可以吹晶圓

在半導體製造過程中,使用氮氣吹晶圓主要是為了清潔晶圓表面,去除水分、雜質以及可能的污染物,同時防止晶圓氧化。

一般來說,為了確保晶圓表面的清潔度和防止氧化,建議使用的氮氣濃度應不低於99.5%。高純度的氮氣可以有效地排除空氣中的氧氣和水分,避免對晶圓造成污染或氧化。

當然,具體的氮氣濃度要求可能會因工藝的不同而有所差異,在實際應用中,應根據具體的工藝需求和設備規範來確定合適的氮氣濃度。

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