在半導體製造過程中，使用氮氣吹晶圓主要是為了清潔晶圓表面，去除水分、雜質以及可能的污染物，同時防止晶圓氧化。
一般來說，為了確保晶圓表面的清潔度和防止氧化，建議使用的氮氣濃度應不低於99.5%。高純度的氮氣可以有效地排除空氣中的氧氣和水分，避免對晶圓造成污染或氧化。
當然，具體的氮氣濃度要求可能會因工藝的不同而有所差異，在實際應用中，應根據具體的工藝需求和設備規範來確定合適的氮氣濃度。
co₂螺杆壓縮機組的冷卻方式需針對其高壓、高溫運行特性專門設計，常見的冷卻方案可分為四大類，各有技術特點與適用場景： 一、間接冷卻（水冷/風冷） 水冷系統 原理…
空壓機房的防爆要求需風險評估後確定。在化工、油氣等高危領域，防爆設計是強制要求;普通工業場景可通過優化設備和管理降低風險。建議委託專業機構進行環境評估，並參考最新法規制定方案。
一般工業使用的壓縮空氣壓力範圍通常為0.6-0.8 mpa（約6-8公斤氣壓），但不同行業和工藝需求會有顯著差異。以下是具體應用場景與壓力需求解析： 一、常規工…
一般工廠的氣壓範圍通常在0.6-0.8兆帕（mpa）或6-8巴（bar）之間，但具體數值會根據行業類型、設備需求和生產工藝進行調整。以下是詳細分析： 一、常規氣…